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【晒FRAM铁电存储器样片】+新唐M058S测试读写FRAM MB85RS64

【晒FRAM铁电存储器样片】+新唐M058S测试读写FRAM MB85RS64

前一阵子申请了富士通的SPI 铁电片子MB85RS64,很快邮寄到了,给厂商赞一个! 看资料,铁电存储器吸收了Flash和RAM二者的优点于一身,耐擦写次数可达到10的12次方, 写数据耗时也比Flash和EEPROM要少,片子在3.3V下操作,运行和待机功耗也做得很棒。 这次的方案是用M058S的IO模拟SPI,完成读写,看了资料,主要就是注意6个 OP-CODE在操作时完成的功能。

在读状态寄存器之前,先赋值0xab,arraydata[]是读取buffer,writedata[]是写入 buffer,之前,测试时是这样,写入,由于使能了写使能1次,然后连续写,发现只在 0x00地址处写入了0xaa,细读手册,发现,每次写之后,片子都会复位写使能,所以 每次写之前都要使能写使能,有点拗口,之后的测试向地址0x00~0x04,写入0xaa~0xee ,再读出,与写入的一样,读写成功。

片子操作不复杂,使用起来容易上手,性能不错,值得推荐!!

下面是图和源码

023b5bb5c9ea15ce17c1e08bb4003af33a87b200.jpg
4e4a20a4462309f796c9ac90700e0cf3d6cad689.jpg
uint8_t SpiRead(void)
//主机在SCK下降沿,从MISO上读取1字节
{
        uint8_t i;
        for(i=0;i<8;i++)
        {
                DATA_BUF = DATA_BUF<<1;

                MB85RS64_SCK = 1;
               
                if(MB85RS64_MISO)
                {
                        DATA_BUF+=1;
                }
                else
                {
                        DATA_BUF+=0;
                }

                MB85RS64_SCK = 0;
        }
        return DATA_BUF;
}

void SpiWrite(uint8_t byte)
//主机向MOSI写1字节,设备在SCK上升沿读取
{
        uint8_t i;
        DATA_BUF = byte;
        MB85RS64_SCK = 0;
        for(i=0;i<8;i++)
        {
                if(DATA_BUF >> 7)
                {
                        MB85RS64_MOSI = 1;
                }
                else
                {
                        MB85RS64_MOSI = 0;
                }
                #if 1
                MB85RS64_SCK = 1;
                DATA_BUF = DATA_BUF << 1;
                MB85RS64_SCK = 0;
                #else
                MB85RS64_SCK = 0;
                MB85RS64_SCK = 1;
                DATA_BUF = DATA_BUF << 1;
                #endif

        }
       
}

void SetWriteEnableLatch(void)
//OP CODE: 0000 0110
{       
        MB85RS64_CS = 0;       
        SpiWrite(0x06);       
        MB85RS64_CS = 1;
}

void ResetWriteEnableLatch(void)
//OP CODE: 0000 0100
{
        MB85RS64_CS = 0;
        SpiWrite(0x04);
        MB85RS64_CS = 1;
}

uint8_t ReadStatusRegister(void)
//OP CODE: 0000 0101
{
        uint8_t rsr_byte;
       
        MB85RS64_CS = 0;

        SpiWrite(0x05);

        rsr_byte = SpiRead();
       
        MB85RS64_CS = 1;

        return rsr_byte;
       
}

void WriteStatusRegister(uint8_t wsr_byte)
//OP CODE: 0000 0001
{
        uint8_t rsr_byte;
       
        MB85RS64_CS = 0;

        SpiWrite(0x01);

        SpiWrite(wsr_byte);
       
        MB85RS64_CS = 1;
}

uint8_t ReadMemoryCode(uint16_t addr)
//OP CODE: 0000 0011
{
        uint8_t rmc_byte;
        uint8_t addr_high, addr_low;

        addr_high = (uint8_t)(addr&0xff00)>>8;
        addr_low  = (uint8_t)(addr&0x00ff);
       
        MB85RS64_CS = 0;

        SpiWrite(0x03);
       
        SpiWrite(addr_high);
        SpiWrite(addr_low);

        rmc_byte = SpiRead();

        MB85RS64_CS = 1;

        return rmc_byte;
       
}

void WriteMemoryCode(uint16_t addr, uint8_t wmc_byte)
//OP CODE: 0000 0010
{
        uint8_t addr_high, addr_low;

        addr_high = (uint8_t)(addr&0xff00)>>8;
        addr_low  = (uint8_t)(addr&0x00ff);

        MB85RS64_CS = 0;
       
        SpiWrite(0x02);
               
        SpiWrite(addr_high);
        SpiWrite(addr_low);

        SpiWrite(wmc_byte);

        MB85RS64_CS = 1;
       
}


void FRAM_Operate(void)
{
        uint8_t status = 0xab;
        uint8_t arraydata[5];
        uint8_t writedata[5];
        uint16_t i;

        memcpy(writedata, "\xaa\xbb\xcc\xdd\xee", 5);

        memcpy(arraydata, "\x01\x02\x03\x04\x05", 5);

        TRACE("-------  before Read ---------\r\n");
        TRACE("status = 0x%02x", status);
        printbuf("arraydata", arraydata, sizeof(arraydata));

        SetWriteEnableLatch();

        status = ReadStatusRegister();

        for(i=0;i<sizeof(arraydata);i++)
        {
                arraydata[i] = ReadMemoryCode(i);
        }

        TRACE("-------  after Read ---------\r\n");
        TRACE("status = 0x%02x", status);
        printbuf("arraydata", arraydata, sizeof(arraydata));

        for(i=0;i<sizeof(writedata);i++)
        {
                SetWriteEnableLatch();
                WriteMemoryCode(i, writedata[i]);
               
        }

        TRACE("\r\n-------  after Write writedata ---------");
        printbuf("writedata", writedata, sizeof(writedata));
        TRACE("-------  after Read again ---------");

        memset(arraydata, 0x00, sizeof(arraydata));
        for(i=0;i<sizeof(arraydata);i++)
        {
                arraydata[i] = ReadMemoryCode(i);
        }

        printbuf("arraydata", arraydata, sizeof(arraydata));

}
既然是模拟SPI,涉及到的CS, MOSI, MISO, SCK可以自由设定了,注意MISO,设置成输入模式
铁电存储器擦写次数可达到10的12次方,性能稳定,可靠性比较好.
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