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场效应管的参数在这方面需要注意什么

场效应管的参数在这方面需要注意什么

  “MOSFET”是英文 MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的缩写,译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2 或 SiN)及半导体三种材料制成的器件。MOSFET的主要参数有ID,IDM,VGS,V(BR)DSS,RDS(on) ,VGS(th)等。


  1、ID:最大漏源电流。是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过ID。此参数会随结温度的上升而有所减额。


  2、IDM:最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。


  3、VGS:最大栅源电压。


  4、V(BR)DSS:漏源击穿电压。是指栅源电压VGS为0时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS。它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。


  5、RDS(on):在特定的VGS(一般为10V)、结温及漏极电流的条件下,MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数,决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。


  6、VGS(th):开启电压(阀值电压)。当外加栅极控制电压VGS超过VGS(th)时,漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中,常将漏极短接条件下ID等于1毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。


  7、PD:最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。


  8、Tj:最大工作结温。通常为150℃或175℃,器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度,并留有一定裕量。


  功率 MOSFET 与双极型功率相比具有如下特点:


  1、MOSFET 是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件),因此在驱动大电流时无需推动级,电路较简单;


  2、输入阻抗高;


  3、工作频率范围宽,开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒),开关损耗;


  4、有较优良的线性区,并且 MOSFET 的输入电容比双极型的输入电容小得多,所以它的交流输入阻抗极高;噪声也小,最合适制作 Hi-Fi 音响;


  5、功率 MOSFET 可以多个并联使用,增加输出电流而无需均流电阻。


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